Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices

Szerző: 
Nyelv: 
english
Kötés: 
Keménykötésű
Oldalak száma: 
255
Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapt ...Teljes leírás
94 896,00 Ft

Részletes információk

További információ
ISBN9783031171987
SzerzőChaudhuri Reet
KiadóSpringer Nature
Nyelvenglish
KötésPevná vazba
A kiadás éve2022
Oldalak száma255

Könyv leírása

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.

 

  1. velký výběr

    HATALMAS VÁLASZTÉK

    Több mint 4 millió angol nyelvű könyv kitűnő áron.

  2. poštovné zdarma

    INGYENES SZÁLLÍTÁS

    25 500 Ft vagy nagyobb rendelés esetén a szállítás ingyenes

  3. skvělé ceny

    KITŰNŐ ÁRAK

    A könyvek árait igyekszünk a földhöz közel tartani és mindig a kiadó által ajánlott ár alatt.

  4. online podpora

    SZEMÉLYES HOZZÁÁLLÁS

    Számunkra a legfontosabb az Ön elégedettsége. Könyveket árulunk, mert szeretjük őket. Nem transznacionális óriások vagyunk, hanem becsületes cseh cég. Ezenfelül a kitűnő könyveket saját blogunkban véleményezzük.

  5. osobní přístup

    MEGBÍZHATÓ BOLT VAGYUNK A VÁSÁRLÓK ÉRTÉKELÉSE SZERINT

    Megkaptuk a "Megbízható Bolt" címet az arukereso.hu portálon. Az értékeléseket megtekintheti itt