Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.
HATALMAS VÁLASZTÉK
Több mint 4 millió angol nyelvű könyv kitűnő áron.
INGYENES SZÁLLÍTÁS
25 500 Ft vagy nagyobb rendelés esetén a szállítás ingyenes
KITŰNŐ ÁRAK
A könyvek árait igyekszünk a földhöz közel tartani és mindig a kiadó által ajánlott ár alatt.
SZEMÉLYES HOZZÁÁLLÁS
Számunkra a legfontosabb az Ön elégedettsége. Könyveket árulunk, mert szeretjük őket. Nem transznacionális óriások vagyunk, hanem becsületes cseh cég. Ezenfelül a kitűnő könyveket saját blogunkban véleményezzük.
MEGBÍZHATÓ BOLT VAGYUNK A VÁSÁRLÓK ÉRTÉKELÉSE SZERINT
Megkaptuk a "Megbízható Bolt" címet az arukereso.hu portálon. Az értékeléseket megtekintheti itt