Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

Szerző: 
Kötés: 
Keménykötésű
Oldalak száma: 
425
This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectri ...Teljes leírás
59 856,00 Ft

Részletes információk

További információ
ISBN9789811512117
SzerzőPark Byung-Eun
KiadóSpringer Nature
KötésPevná vazba
A kiadás éve2020
Oldalak száma425

Könyv leírása

This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.

Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.

This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.

The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.

 

  1. velký výběr

    HATALMAS VÁLASZTÉK

    Több mint 4 millió angol nyelvű könyv kitűnő áron.

  2. poštovné zdarma

    INGYENES SZÁLLÍTÁS

    25 500 Ft vagy nagyobb rendelés esetén a szállítás ingyenes

  3. skvělé ceny

    KITŰNŐ ÁRAK

    A könyvek árait igyekszünk a földhöz közel tartani és mindig a kiadó által ajánlott ár alatt.

  4. online podpora

    SZEMÉLYES HOZZÁÁLLÁS

    Számunkra a legfontosabb az Ön elégedettsége. Könyveket árulunk, mert szeretjük őket. Nem transznacionális óriások vagyunk, hanem becsületes cseh cég. Ezenfelül a kitűnő könyveket saját blogunkban véleményezzük.

  5. osobní přístup

    MEGBÍZHATÓ BOLT VAGYUNK A VÁSÁRLÓK ÉRTÉKELÉSE SZERINT

    Megkaptuk a "Megbízható Bolt" címet az arukereso.hu portálon. Az értékeléseket megtekintheti itt