Könyv Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Szerző: MUHAMMED SHIBIB
Nyelv: Angol
Kötés: Puha kötésű
Elérhetőség: Beszállítói készleten
Küldés 14-21 napon belül
24 401 Ft
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Információk a könyvről

Szerző
Nyelv
Angol
Kötés
Könyv - Puha kötésű
Kiadva
2019
oldal
206
EAN
9780530008127
ISBN
0530008122
Enbook ID
22569085
Súly
490
Méretek
216 x 279 x 11

Teljes leírás

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Érdekelheti

3 166 Ft
36 052 Ft

Conflict

David Petraeus
4 131 Ft

Whale Fishery of New England

State Street Trust Company
6 817 Ft
6 817 Ft

Womb of Uncreated Night

Antonides Chris Antonides
12 441 Ft

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták

776 Ft
8 559 Ft

La Divina Comedia

Dante Alighieri
6 197 Ft
11 489 Ft

Programmare

Miller Daniel E. Miller
6 918 Ft
2 713 Ft

Hayalperest

Yesim Demir
4 293 Ft
4 645 Ft
3 281 Ft