Könyv Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Szerző: MUHAMMED SHIBIB
Nyelv: Angol
Kötés: Puha kötésű
Elérhetőség: Beszállítói készleten
Küldés 9-15 napon belül
23 699 Ft
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Információk a könyvről

Szerző
Nyelv
Angol
Kötés
Könyv - Puha kötésű
Kiadva
2019
oldal
206
EAN
9780530008127
ISBN
0530008122
Enbook ID
22569085
Súly
490
Méretek
216 x 279 x 11

Teljes leírás

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Érdekelheti

28 879 Ft

Conflict

David Petraeus
4 013 Ft

Whale Fishery of New England

State Street Trust Company
6 621 Ft

Womb of Uncreated Night

Antonides Chris Antonides
12 083 Ft
3 075 Ft

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták

8 313 Ft
4 269 Ft
5 067 Ft

Programmare

Miller Daniel E. Miller
6 719 Ft
11 158 Ft