Menu
Rendelés állapotának ellenőrzése
Kapcsolat
Könyv Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Szerző: MUHAMMED SHIBIB
Nyelv: Angol
Kötés: Kemény kötésű
Kiadó: Dissertation Discovery Company
Elérhetőség: Beszállítói készleten
Küldés 9-15 napon belül
33 179 Ft
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Információk a könyvről

Szerző
MUHAMMED SHIBIB
Nyelv
Angol
Kötés
Könyv - Kemény kötésű
Kiadva
2019
oldal
206
EAN
9780530008134
ISBN
0530008130
Enbook ID
22569086
Kiadó
Dissertation Discovery Company
Súly
767
Méretek
216 x 279 x 13

Teljes leírás

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Érdekelheti

Wikinomics

Don Tapscott
7 801 Ft

SS France / Norway

William H Miller
9 722 Ft

A Need For Speed ( C ): The Quantum Effects Of An Elastic-Solid Aether

D D Birkhofer
3 842 Ft

Pearson Edexcel International A Level Business Student Book

Rob Jones
19 911 Ft

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták

Hello Kitty-Cartes à gratter

3 443 Ft

Influencia. La psicología de la persuasión

ROBERT CIALDINI
5 795 Ft

Ravensburger Puzzle 12000797 - Willkommen beim Zirkus - 1500 Teile Puzzle für Erwachsene und Kinder ab 14 Jahren

6 975 Ft

Fall inga tarar

Suneson
2 190 Ft