Doping in III-V Semiconductors

Name: Doping in III-V Semiconductors
Brand: Cambridge University Press
SKU: 9780521017848
Price: 50184 HUF
Availability: InStock

Szerző: E.Fred Schubert

Nyelv:

Kötés: Puha kötésű

Kiadó: Cambridge University Press

Elérhetőség: Beszállítói készleten

Küldés 14-21 napon belül

50 184 Ft

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors....

Információk a könyvről

Szerző

E.Fred Schubert

Nyelv

Angol

Kötés

Könyv - Puha kötésű

Kiadva

2005

oldal

632

EAN

9780521017848

ISBN

052101784X

Enbook ID

04089657

Kiadó

Cambridge University Press

Súly

948

Méretek

150 x 229 x 36

Teljes leírás

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The author describes in detail all the various techniques, including doping during epitaxial growth, doping by implantation, and doping by diffusion. The key characteristics of all dopants that have been employed in III–V semiconductors are discussed. In addition, general characteristics of dopants are analyzed, including the electrical activity, saturation, amphotericity, auto-compensation and maximum attainable dopant concentration. The timely topic of highly doped semiconductors is discussed as well. Technologically important deep levels are summarized. The properties of deep levels are presented phenomenologically. The final chapter is dedicated to the experimental characterization of impurities.

Érdekelheti

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták

Leggyakrabban keresett

Categories

Authors

Publishers

Termékek

Termékek

Leggyakrabban keresett

Categories

Authors

Publishers

Termékek

Termékek

Doping in III-V Semiconductors

Információk a könyvről

Teljes leírás

Érdekelheti

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták