Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren

Name: Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren
Brand: Cuvillier Verlag
SKU: 9783954049721
Price: 11684 HUF
Availability: InStock

Szerző: Tina Kubot

Nyelv:

Kötés: Puha kötésű

Kiadó: Cuvillier Verlag

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11 684 Ft

Die von Gordon Moore 1965 veröffentlichte Beobachtung, dass sich die Komplexität integrierter Schalt...

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Szerző

Tina Kubot

Nyelv

Német

Kötés

Könyv - Puha kötésű

Kiadva

2015

oldal

152

EAN

9783954049721

ISBN

3954049724

Enbook ID

12828799

Kiadó

Cuvillier Verlag

Súly

207

Méretek

148 x 210 x 8

Teljes leírás

Die von Gordon Moore 1965 veröffentlichte Beobachtung, dass sich die Komplexität integrierter Schaltungen alle 18 Monate verdoppelt, entwickelte sich zum Taktgeber für die gesamte Elektronikbranche. Seit etwa 2000 werden jedoch immer wieder fundamentale Grenzen erreicht, denen durch Entwicklungen in der Prozesstechnologie, den Einsatz neuer Materialien und Modifikationen des klassischen MOSFET-Konzepts begegnet wird. Beispiele dafür sind der Einsatz von verspannten Silizium-Germanium-Schichten und high-k-Dielektrika oder die Entwicklung nichtplanarer Multigate-Konzepte. Durch die Öffnung für die dritte Dimension gewinnen alternative Konzepte an Attraktivität. Ein Schwerpunkt dieser Arbeit ist die Integration neuer Prozesse in einen vertikalen Stoßionisationstransistor. Kennzeichnend für dieses Bauteil ist die sehr steile Unterschwellsteigung. Um diese zu erreichen, ist ein scharf begrenztes Dotierstoffprofil erforderlich. Es wird ein Niedertemperaturprozess mit einer maximalen Prozesstemperatur von 400C entwickelt, um die Diffusion der Dotierstoffe während der Herstellung effektiv zu unterdrücken. Die Grundlage bilden ein mittels Atomic Layer Deposition abgeschiedenes Aluminiumoxid als Gatedielektrikum und ein Metal Gate. Die elektrischen Parameter können so optimiert werden. Der zweite Schwerpunkt ist die theoretische Betrachtung des vertikalen Stoßionisationstransistors, dessen Funktion sich stark von der des MOSFETs und des konventionellen Stoßionisationstransistors unterscheidet, so dass deren Theorie nicht anwendbar ist.

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