Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Name: Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering
Brand: Taylor & Francis Inc
SKU: 9781439849590
Price: 63719 HUF
Availability: InStock

Szerző: Hei Wong

Nyelv:

Kötés: Kemény kötésű

Kiadó: Taylor & Francis Inc

Elérhetőség: Beszállítói készleten

Küldés 14-21 napon belül

63 719 Ft

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric mater...

Információk a könyvről

Szerző

Hei Wong

Nyelv

Angol

Kötés

Könyv - Kemény kötésű

Kiadva

2011

oldal

248

EAN

9781439849590

ISBN

9781439849590

Enbook ID

06708163

Kiadó

Taylor & Francis Inc

Súly

500

Méretek

163 x 242 x 20

Teljes leírás

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric materials, this text systematically describes how the fundamental electronic structures and other material properties of the transition and rare earth metals affect the electrical properties of the dielectric films, the dielectric/silicon and the dielectric/metal gate interfaces, and the resulting device properties. Specific topics include the problems and solutions encountered with high-k material thermal stability, defect density, and poor initial interface with silicon substrate. The text also addresses the essence of thin film deposition, etching, and process integration of high-k materials in an actual CMOS process.

Érdekelheti

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták

Leggyakrabban keresett

Categories

Authors

Publishers

Termékek

Termékek

Leggyakrabban keresett

Categories

Authors

Publishers

Termékek

Termékek

Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Információk a könyvről

Teljes leírás

Érdekelheti

Azok a vásárlók, akik ezt a könyvet megvásárolták, a következőket is megvásárolták